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E3S网页汇编
卷积184 2020
2后端可持续能源设计制造国际会议(ICMED2020) |
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文章号 | 01012 | |
页数 | 8 | |
多尔市 | https://doi.org/10.1051/e3sconf/202018401012 | |
在线发布 | 2020年8月19日 |
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18401012(2020年)
GAN、SIC、SI技术高频高效反转器比较
电气工程系GRIET,海得拉巴,Telangana,印度
电半导体设备在高效电转换中起重要作用silcon电源设备Si、Silconcarbide和QiumNitride电源设备一样,GaN技术对高频电子系统工作最理想GAN电子移动和带宽优于SiC和Si甘高电容晶体管SiC和Si拟变位器设计为转移>1MHz范围的权力三大开关比较由输出功率和反转器效率完成本文介绍SPICE输出功率1KW类e逆序模拟结果
必威西汉姆赞助作者版由EDPScience发布,2020
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